ROHM开发出1mm见方超小型车载MOSFET！ 提升散热性与装置可靠性，很是适用于日益高密度化的车载ECU和ADAS相关设备

更新时间：2020-09-29 | 宣布人：

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都会）开发出切合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1的超小型MOSFET “RV8C010UN”、“RV8L002SN”、“BSS84X”，尺寸仅为1.0mm×1.0mm。
新产品接纳融入ROHM自有工艺要领的Wettable Flank成型技术※2，以1.0mm×1.0mm的尺寸，包管了封装侧面电极部分125μm的高度，属于业内较高水平。经自动光学检查（以下简称“AOI”※3），在追求品质的车载相关设备上装置重要元器件后会实施该检查）确认，实现了很是精彩的焊接可靠性。另外，通常小型化和高散热性之间保存着矛盾权衡关系，接纳底部电极结构的新封装同时兼顾了小型化与高散热性，很是适用于电路板高密度化的车载ECU和高级驾驶辅助系统（ADAS）等相关设备。
新产品已于2020年9月开始暂以月产10万个的规模投入量产（样品价格：100日元/个，不含税）。

近年来，随着汽车电子化进程的加速，一台汽车中使用的电子元器件和半导体元器件数量呈增多趋势。因此，需要在有限的空间里装置更多的元器件，装置密度越来越高。例如，1个车载ECU中的半导体和积层陶瓷电容器的平均搭载数量，预计到2025年将从2019年的186个※增加至230个※，增加近3成。为了满足装置密度越来越高的车载应用的需求，市场对小型化的要求也越来越高，因此能够兼顾小型和高散热性的底部电极封装形式开始受到青睐。
另一方面，关于车载元器件，为确�？煽啃�，虽然会在装置元器件后实施AOI，但由于底部电极封装只在底部有电极，故无法确认焊接状态，进行车载标准的AOI有一定难度。

※截至2020年9月29日据ROHM视察

新产品接纳ROHM自有的Wettable Flank成型技术，乐成解决了这一课题，并实现了车载用超小型MOSFET，获得了越来越多的汽车领域制造商的青睐。未来，不但在MOSFET领域，ROHM 也会在双极晶体管和二极管领域的产品阵容进行不绝扩充。

超小型MOSFET RV8C010UN、RV8L002SN、BSS84X

＜特点＞

1. 利用融入ROHM自有工艺要领的Wettable Flank成型技术，包管封装侧面电极部分125μm的高度

包管封装侧面电极部分125μm的高度

接纳古板技术的底部电极封装，因其无法在引线框架侧面进行电镀加工，无法确保车载所需的焊料高度，难以实施AOI。新产品接纳ROHM自有的 Wettable Flank成型技术， 实现抵达引线框架上限的电镀加工，以1.0mm×1.0mm的尺寸，包管封装侧面电极部分高度达125μm。纵然是底部电极封装，也可实现稳定的焊接圆角，通过元器件装置后的AOI可切实确认焊接状态。

2. 替换为超小型、高散热性的MOSFET，可应对电路板的高密度化

替换为超小型、高散热性的MOSFET，可应对电路板的高密度化

新产品尺寸仅为1.0mm×1.0mm（DFN1010封装），却实现了与2.9mm×2.4mm尺寸（SOT-23封装）同等的性能，可削减装置面积达85%左右。不但如此，通过接纳散热性能优异的底部电极，与SOT-23封装相比，可将通常因体积缩小而降低的散热性提高65%。新产品兼顾了小型化与高散热性，很是适用于随功效增加，电路板日益高密度化的车载ECU和ADAS相关设备等应用。