ROHM推出在高温高湿情况下实现业界顶级※可靠性的 1700V 全SiC功率�？椤癇SM250D17P2E004”

更新时间：2018-11-13 | 宣布人：

＜提要＞

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现业界顶级可靠性的额定值包管1700V 250A的全SiC功率�？椤癇SM250D17P2E004”。

近年来，由于SiC产品的节能效果优异，以1200V耐压为主的SiC产品在汽车和工业设备等领域的应用日益广泛。随着种种应用的多功效化和高性能化生长，系统呈高电压化生长趋势，1700V耐压产品的需求日益旺盛。然而，受可靠性等因素影响，迟迟难以推出相应产品，所以1700V耐压的产品一般使用IGBT。

在这种配景下，ROHM推出了实现额定1700V的全SiC功率�？�，新产品不但继续了1200V耐压产品中深获好评的节能性能，还进一步提高了可靠性。

此次新开发的�？榻幽尚峦扛仓柿虾托鹿ひ找�，乐成地预防了绝缘击穿，并抑制了漏电流※1）的增加。在高温高湿反偏试验（HV-H3TRB）※2）中，实现了极高的可靠性，凌驾1,000小时也未爆发绝缘击穿现象。今后，在高温高湿度情况下也可以定心地处理1700V的高耐压了。

另外，�？橹薪幽闪薘OHM产的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（SBD），通过优化�？槟诓拷峁�，使导通电阻性能比与同等SiC产品优异10％，很是有助于应用进一步节能。

本�？橐延�2018年10月开始投入量产。前期工序的生产基地为ROHM Apollo CO., LTD.（日本福冈），后期工序的生产基地为ROHM总部工厂（日本京都）。

未来，ROHM不但会继续扩充让客户定心使用的产品阵容，还会配备可轻松测试SiC�？榈钠拦腊宓�，以进一步满足日益扩大的市场需求。

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＜特点＞

1．在高温高湿情况下确保业界顶级的可靠性

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通过接纳新涂覆质料作为芯片的�  ；ざ圆�，并引进新工艺要领，使新�？橥ü薍V-H3TRB高温高湿反偏试验，从而使1700V耐压的产品得以乐成走向市场。

好比在高温高湿反偏试验中，比较工具IGBT�？樵�1,000小时以内爆发了引发故障的绝缘击穿，而BSM250D17P2E004在85℃／85%的高温高湿情况下，纵然施加1360V达1,000小时以上，仍然无故障，体现出极高的可靠性。

2．优异的导通电阻性能，有助于设备进一步节能

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新�？橹惺褂玫氖荝OHM产的SiC SBD和SiC MOSFET。通过SiC SBD和SiC MOSFET的最佳组合配置，使导通电阻低于同等普通产品10%，这将很是有助于应用进一步节能。

＜SiC功率�？榈牟氛笕荩�

品名 绝对最大额定值（Ta=25℃） 电感
(nH) 		封装 热敏电阻 内部电路图※
VDSS
(V) 		VGS
(V) 		ID
(A)
〔Tc
=60℃〕 		Tj max
(℃) 		Tstg
(℃) 		Visol
(V)
〔AC
1min.〕
BSM080D12P2C008 1200 -6～22 80 175 -40～125 2500 25 C type
45.6x122x17mm 		-
BSM120D12P2C005 120
BSM180D12P3C007 -4～22 180
BSM180D12P2E002 -6～22 180 13 E Type
62x152x17mm 		○
BSM300D12P2E001 300
BSM400D12P3G002 -4～22 400 10 G Type
62x152x17mm
BSM600D12P3G001 600

BSM250D17P2E004 		1700 -6～22 250 3400 13 E Type
62x152x17mm

※ 产品阵容中包括Chopper型产品。详情请咨询ROHM营业部分。