ROHM开发出实现业界最低VF与高抗浪涌电流的SiC肖特基势垒二极管"SCS3系列"

更新时间：2016-05-10 | 宣布人：

ROHM开发出实现业界最低※VF与高抗浪涌电流的SiC肖特基势垒二极管"SCS3系列"
很是适用于种种电源装置的PFC电路，可大幅改善事情时效率

2016年5月10日

※截至2016年4月ROHM视察数据

TO-263AB,TO-220ACP封装图

全球知名半导体制造商ROHM开发出很是适用于效劳器和高端盘算机等的电源PFC电路※1的、第3代SiC（Silicon Carbide:碳化硅）肖特基势垒二极管(以下称"SiC-SBD") "SCS3系列"。

本产品接纳新结构，不但继续了量产中的第2代SiC-SBD所实现的业界最低正向电压※2(VF=1.35V、25℃)的特性，同时还确保了高抗浪涌电流特性。因此，还可用于效劳器和高端盘算机等的电源PFC电路，很是有助于提高应用的效率。

本产品已于2016年3月开始出售样品，计划于2016年4月开始逐步投入量产。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd. （日本福冈县），后期工序的生产基地为ROHM Korea Corporation（韩国）。

今后，ROHM将通过扩大SiC元器件产品的阵容，继续为电力电子设备的节能化作出孝敬。

＜配景＞

近年来，在太阳能发电系统、工业用种种电源装置、电动汽车及家电等电力电子领域，为提高功率转换效率以实现进一步节能，更高效率的功率元器件产品备受期待。SiC器件与以往的Si器件相比，具有优异的质料特性，在这些领域中的应用日益广泛。尤其是在效劳器等这类要求更高电源效率的设备电源中，SiC-SBD产品因其快速恢复特性可有效提高效率而被用于PFC电路来提高设备效率。在这些用途中，抗浪涌电流※3特性成为重要的参数。一直以来，ROHM的第1代、第2代SiC-SBD产品均深获客户好评。为了进一步扩大应用规模，ROHM 接纳新产品结构，乐成开发出坚持业界最高水平的低VF特性、并实现高抗浪涌电流特性的产品。

PFC电路正向电压与抗浪涌电流特性

＜特点＞

ROHM
第3代
SiC-SBD 		ROHM
第2代
SiC-SBD
绝对最大额定值
抗浪涌电流特性
10msec, sin wave
TO-220AC package 		82A 40A
电气特性
VF(V)
Typ. 		Tj=25℃ 1.35 1.35
Tj=150℃ 1.44 1.55
IR(?A)
Typ. 		Tj=25℃ 0.03 2
Tj=150℃ 2 30

1. 坚持低VF特性，实现高抗浪涌电流能力

此次开发的第3代SiC-SBD"SCS3系列"，为实现高抗浪涌电流能力，接纳了JBS（Junction Barrier schottky）结构。以往的结构是可有效提高抗浪涌电流能力、并改善泄漏特性的结构，而ROHM的第3代最新产品，不但具备以往产品的特点，并且还进一步改善了第2代SiC-SBD所实现的低VF特性，将作为更高性能的产品大展身手。

业界最低的正向电压

2. 实现业界最低的正向电压（VF=1.35V/25℃、1.44V/150℃）

ROHM的第2代SiC-SBD，通过改善工艺和产品结构，实现了业界最低的正向电压。在高温条件下，本产品的VF值比第2代产品更低，导通损耗更低，效率更高。

低泄漏电流特性

※1. E=1,-03=1/103

3. 低泄漏电流特性

一般情况下，降低正向电压会导致反向漏电流增加，而ROHM的第3代最新SiC-SBD产品接纳JBS结构，乐成减少漏电流并降低正向电压。本产品在额定电压下的漏电流与第2代SiC-SBD相比，低至约1/20(650V、Tj=150℃时)。

＜产品阵容＞

封装 耐压 正向电流（IF）
2A 4A 6A 8A 10A
TO-220ACP??TO-220ACP 650V ☆SCS302AP ☆SCS304AP SCS306AP SCS308AP SCS310AP
TO-263AB D2pak(LTPL)??TO-263AB
D2pak(LTPL) 		☆SCS302AJ ☆SCS304AJ ☆SCS306AJ ☆SCS308AJ ☆SCS310AJ

☆：开发中

＜应用＞

盘算机、效劳器、空调等高端电源设备内的PFC电路

＜术语解说＞

*1)?PFC电路?(Power Factor Correction)
将电源爆发的高次谐波电流控制在某规模以内，抑制峰值电流以期进一步节能的电路。

*2)?正向电压?(VF)
电从+向-流动时爆发的电压下降。该值越低越有助于效率提升。

*3)?浪涌电流
雷击等导致的电源电路等瞬间爆发的凌驾常态的电流。