ROHM扩充"全SiC"功率�？椴氛笕� 支持1200V/300A，可搭载于大功率应用

更新时间：2015-05-05 | 宣布人：

全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备和太阳能发电功率调理器等的逆变器、转换器，开发出额定1200V/300A的"全SiC"功率�？�"BSM300D12P2E001"。
本产品实现了300A的额定电流，因此可用于工业设备用的大容量电源等更大功率的应用中。另外，与一般的IGBT�？橄啾�，开关损耗降低了77%，可高频驱动，因此还很是有助于周边元器件和冷却系统等的小型化。
本�？橐丫汲鍪垩�，预计于2015年6月份开始量产出货。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.（福冈县），后期工序的生产基地为ROHM总部工厂（京都会）。

＜配景＞

自从ROHM于2012年3月世界首家开始将内置的功率半导体元件全部由碳化硅组成的"全SiC"功率�？橥度肓坎岳�，生产的1200V/120A、180A产品在工业设备等中的接纳越来越广泛。因其优异的节能效果，支持更大电流的产品阵容倍受期待，但为了最大限度地发挥SiC产品的特点---高速开关性能，需要开发能够抑制开关时浪涌电压影响（大电流化带来的课题）的新封装。
此次，ROHM通过优化芯片配置和�？槟诓拷峁�，与以往产品相比，乐成地大幅降低了�？槟诓康绺�。由此，可抑制浪涌电压，从而实现了300A的更大电流。
今后，ROHM还会继续开发支持更高耐压的�？�，并使用沟槽式结构的SiC元器件，开发出更大额定电流的产品，不绝强化产品阵容。

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＜特点＞

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1．?降低开关损耗，实现高频化

与同等额定电流的IGBT�？橄啾�，开关损耗降低了77％。将IGBT�？樘婊晃静酚型蠓档涂厮鸷�，进一步实现冷却机构的小型化。另外，通过更高频率的开关行动，还可实现线圈和电容器等周边元器件的小型化。通过使用SiC�？�，不但可实现更高效率，另有助于设备的小型化。

2.?降低封装内部电感，实现更大电流

随着对功率�？椴返母蠖疃ǖ缌鞯淖非�，开关事情时的浪涌电压也不绝增大，因此，需要降低封装内部的电感。本产品通过优化内置SiC元件的配置及内部花样，开发出内部电感比以往产品降低约一半的封装。由此，乐成开发出额定电流300A的产品。

＜本产品的组成＞

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  • 搭载SiC-SBD和SiC-MOSFET的"全SiC"�？椴�
  • 使用与标准的IGBT�？橥庑蔚姆庾�
  • 搭载热敏电阻
  • 包管Tjmax=175℃

■SiC功率�？榈牟氛笕�

产品名 绝对最大额定值(Ta=25℃) RDS(ON)
(mΩ) 		封装 热敏电阻
VDSS
(V) 		VGS
(V) 		ID(A)
(Tc=60℃) 		Tj
(℃) 		Tstg
(℃) 		Visol(V)
(AC 1min.)
BSM120D12P2C005 1200 -6 to +22 120 -40 to +150 -40 to +125 2500 50 C type -
BSM180D12P2C101 1200 -6 to +22 180 -40 to +150 -40 to +125 2500 12.8 C type -
NEW
BSM300D12P2E001 		1200 -6 to +22 300 -40 to +175 -40 to +125 2500 7.3 E tyle ○

＜术语解说＞
电感
体现使流动的电流爆发变革时因电磁感应爆发的电动势的巨细的量。
热敏电阻
关于温度变革，电阻变革较大的电阻体。作为丈量温度的传感器使用。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）
绝悦魅栅双极晶体管。在栅极装有MOSFET的双极晶体管。
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field　Effect　Transistor）
金属－氧化物－半导体场效应晶体管。是FET中最被普遍使用的结构。作为开关元件使用。
SBD（Schottky Barrier Diode）
通过使金属和半导体接触从而形成肖特基结，利用其可获得整流性（二极管特性）的二极管。具有"无少数载流子存储效应、高速性能卓越"的特点。