ROHM产品阵容新增高效MOS智能功率�？� 有助于节能型家电和工业设备实现更低功耗

更新时间：2015-04-21 | 宣布人：

【ROHM半导体(上海)有限公司 04月21日上海讯】

全球知名半导体制造商ROHM开发出满足家电产品和工业设备等的小容量电机低功耗化需求的高效MOS-IPM（Intelligent Power Module）"BM65364S-VA/-VC（额定电流15A、耐压600V）"，产品阵容越发富厚。
此次开发的产品搭载了ROHM生产的低导通电阻MOSFET"PrestoMOS?※?"，并且还利用了ROHM独吞的LSI控制技术，使在低电流规模的损耗比以往的IGBT-IPM降低约43%。通过实现业界顶级的低功耗化，不但有助于应用实现进一步节能化，还能通过IPM产品的解决计划降低设计担负。
本产品已经开始出售样品，预计于2015年8月份开始以月产3万片的规模投入量产。前期工序的生产基地为ROHM滨松株式会社（静冈县）、ROHM Apollo Co., Ltd.（福冈县）、ROHM Wako Co., Ltd.（冈山县），后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰国）。

※PrestoMOS?是ROHM的注册商标。

＜配景＞

近年来，节能化趋势日益加速，在这个大配景下，随着日本节能法的修订，家电产品倾向于接纳更接近实际使用情况的能效标识APF（Annual Performance Factor），不再仅仅关注功率负载较大的设备启动时和额定条件下的节能，要求负载较小的正常运转时更节能的趋势日益高涨。
而为了减轻这种节能家电的设计担负，较标准的做法是接纳将建构系统所需的功率元器件和控制IC等集成于单芯片化的IPM。

＜新产品详情＞

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此次ROHM通过接纳以往的MOSFET很难实现的可支持更大电流的自产PrestoMOS?，大大降低导通损耗，实现了IPM的产品化。不但如此，还通过融合ROHM独家拥有的栅极驱动器电路技术，使在低电流规模的损耗相比IGBT-IPM降低约43%。业界顶级的低功耗，很是有助于应用整体实现进一步节能。
另外，还通过ROHM独吞的电路与封装技术，确立了构建变频器所需的种种元器件的综合可靠性，实现IPM化，另有助于减轻系统的设计担负。
因为所搭载的芯片全部为ROHM的生产，因此不但可以提供高品质的产品，还没有供货方面的担心，客户可定心使用。

＜特点＞

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1．接纳可支持大电流的PrestoMOS?，实现节能
现在，以家庭内功耗比率较高的空调变频器为首，需要支持大电流的设备中一般都会使用IGBT-IPM，但旨在使设备实现更高效率的努力从未停止。
一般MOSFET具有在高速开关条件下和低电流规模内的导通损耗较低的优势，具有降低设备正常运转时的功耗的效果。通过开发出可支持大电流的MOS-IPM，可使设备正常运转时越发节能。

2．通过搭载使用了ROHM独吞的电路技术的栅极驱动器LSI，实现高效化?
接纳PrestoMOS?，并利用ROHM独创的栅极驱动器电路技术，通过导入ROHM独吞的栅极驱动电路，实现了IPM产品进一步的高效化。例如，通过导入避免高电压条件下高速开关行动容易爆发的MOSFET误行动的电路，实现高速开关行动，并且可以降低开关损耗。并且，考虑到开关时爆发的噪音，还优化了开关损耗和噪音的平衡关系，使可最大限度充分发挥PrestoMOS?性能的栅极驱动成为现实。

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3．通过 IPM化，减轻高效系统的设计担负

接纳ROHM独创的高散热封装技术将构建变频器系统所需的栅极驱动器和组成变频器部分的MOSFET一体化封装。
另外，本产品在优化了功率元器件驱动的同时，为使客户定心使用，还搭载了种种重要的�；すπ�，从而可减轻客户的设计担负。

＜术语解说＞
IPM（Intelligent Power Module）
将功率元器件以及具有控制它们的功效的元器件（IC等）�？榛牟贰�
PrestoMOS?
低导通电阻、低Qg、实现内部二极管的高速trr的ROHM生产的 MOSFET系列产品之一。
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistors）
与MOSFET一样，是通过向栅极施加电压进行控制的元器件，也是利用双极晶体管的高耐压、低导通电阻特点的元器件。
APF（Annual Performance Factor）
全年使用家用空调时的能效比。数值越大节能性能越好。