适用于车载、工业设备的高可靠性DRAM系列（搭载输出驱动能力调理功效） 产品阵容新增128M/256M bit SDRAM ～同时降低辐射噪声与系统本钱

更新时间：2014-03-04 | 宣布人：

ROHM集团旗下的LAPIS Semiconductor ，作为高可靠性 DRAM系列产品 ，新开发出搭载输出驱动能力调理功效的128M bit SDRAM"MD56V72160C"/256M bit SDRAM"MD56V82160A"。本LSI搭载了4级输出驱动能力调理功效 ，可凭据用户系统调理电流驱动能力 ，降低辐射噪声 ，从而可减少噪声对策零部件与阻尼电阻元件的数量。另外 ，引线框架接纳焊接连接可靠性更高的铜(Cu)框架 ，因此 ，还很是适用于车载设备等要求高可靠性的用途。本产品的样品已经在售 ，计划从2014年3月份开始以月产100万个的规�？剂坎�。

＜配景＞
在中小容量SDRAM的用途之一车载设备系统中 ，事情时爆发的辐射噪声会对高频段等爆发影响 ，因此 ，关于提升系统品质来说 ，降低辐射噪声成为重要课题。LAPIS Semiconductor着眼于该课题 ，为降低SDRAM事情时爆发的辐射噪声 ，改善阻抗匹配的读取数据输出波形的特性 ，早在以往产品16M bit /64M bit SDRAM上就开始搭载按3级改变读取数据输出时的电流驱动能力的输出驱动能力调理功效。该功效在车载领域获得极高好评 ，为扩大在需要更大容量SDRAM的用途中的应用规模 ，LAPIS Semiconductor开发了128M bit 、256M bit SDRAM。
另外 ，DRAM的主流产品逐渐向大容量、高速化的DDR2/DDR3-SDRAM生长 ，中小容量SDRAM的供应越来越不稳定。LAPIS Semiconductor将中小容量的SDRAM定位为古板DRAM注1 ，作为唯一可恒久供货的日本海内制造商 ，不但面向车载用途市场 ，并且面向更辽阔的工业设备市场 ，正在不绝完善产品的产品阵容。

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＜新产品详情＞
1．搭载输出驱动能力调理功效

为降低SDRAM事情时爆发的辐射噪声 ，改善阻抗匹配的读取数据输出波形的特性 ，搭载变换读取数据输出时的电流驱动能力的输出驱动能力调理功效。通过扩展模式寄存器 配置可设定4级驱动能力。
本功效有助于实现适适用户系统的电流驱动能力优化、降低辐射噪声、减少辐射噪声对策 零部件数量。另外 ，可按出货时牢固规格的驱动能力设定供货 ，纵然使用已有的SDRAM 控制器无需配置扩展模式寄存器 ，即可使用最佳的输出驱动能力设定的产品。

2．接纳铜引线框架

为满足车载设备领域的与PCB板之间的高可靠性焊接连接性的要求 ，本产品接纳连接可靠性优异的铜(Cu)引线框架。与以往的42合金引线框架相比 ，其与PCB板的热膨胀系数更 相近 ，因此 ，提高了焊接连接可靠性 ，满足了汽车厂家要求的PCB板贴装状态下的热膨胀 循环标准。另外 ，还同时抑制了锡晶须不良的爆发。

3．满足车载品质

为实现高品质 ，支持定制切合客户要求品质的测试工序。

4．芯片销售遵循KGD(Known Good Die)包管

从晶圆级包管与封装产品同等的品质 ，通过与客户的使用要领相匹配的测试工序 ，提供高品质的芯片产品。

LAPIS Semiconductor今后也会以不绝推出客户定心使用的高可靠性SDRAM产品并恒久稳定供应为目标 ，进一步推出256M bit DDR1、512M bit DDR2 ，不绝扩充古板DRAM注1产品的阵容。

【销售计划】
? 产品名 ：MD56V72160C / MD56V82160A
? 包装形态 ：托盘1080个
? 样品出售时间 ：样品出售中
? 样品价格（参考） ：MD56V72160C 　360日元（不含税）　
??MD56V82160A 　520日元（不含税）
? 量产出售计划 ：2014年3月开始
? 规格 ：满足JEDEC标准规格
? 存储器结构

：4 BANK×2,097,152 WORD×16 BIT (MD56V72160C)
??4 BANK×4,194,304 WORD×16 BIT (MD56V82160A)

? 地点巨细 ：4,096行 × 512列(MD56V72160C)
? 8,192行 × 512列(MD56V82160A)
? 事情频率 ：166MHz(max.)
? 接口 ：LVTTL兼容
? 功效 ：通用SDRAM指令接口
? 电源电压 ：3.3V±0.3V
? 事情温度规模 ：0℃ ～ ＋70℃ / －40℃ ～ ＋85℃
? 刷新 ：自动刷新时 4,096次/64msec(MD56V72160C)
8,192次/64msec(MD56V82160A)
???自刷新
? 消耗电流(Typ.) ：事情时(166MHz) 100mA (MD56V72160C)
150mA (MD56V82160A)
??待机时(动态待机时) 50mA (MD56V72160C)
65mA (MD56V82160A)
??关机时 3mA
? 封装 ：54Pin TSOP
??铜引线框架、满足RoHS指令、无铅、无卤
＜术语解说＞
? 注1： 古板DRAM
DRAM市场随着电脑和手机的高性能化生长 ，主流产品逐渐转变为大容量、高速DRAM ，中小容量DRAM的供应厂家日益减少。然而 ，消费电子设备和车载设备等产品中 ，从噪声设计角度等出发 ，适用中小容量、中速DRAM的应用大宗保存。另外 ，通信设备和工业设备等生命周期较长的产品中 ，从控制器变换等设计变换较难或想控制设计变换用度等角度出发 ，保存希望继续使用中小容量DRAM的需求。LAPIS Semiconductor将这些中小容量DRAM定位为"古板DRAM" ，不绝开发满足车载市场和工业设备市场需求的高可靠性新产品 ，以进一步扩充古板DRAM的产品阵容 ，为客户提供恒久稳定供应。

※　本文所提及的公司名称、产品名称均为各公司的商标或注册商标。