ROHM新增5款100V耐压双MOSFET以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸实现业界超低导通电阻 ～很是适用于通信基站和工业设备等的电扇电机，有助于设备进一步降低功耗和节省空间～
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都会）面向通信基站和工业设备等的电扇电机驱动应用，开发出将两枚100V耐压MOSFET*1一体化封装的双MOSFET新产品。新产品分为“HP8KEx/HT8KEx（Nch+Nch）系列”和“HP8MEx（Nch+Pch*2）系列”两个系列，共5款新机型。
近年来，在通信基站和工业设备领域，为了降低电流值、提高效率，以往的12V和24V系统逐渐被转换为48V系统，电源电压呈提高趋势。别的，用来冷却这些设备的电扇电机也使用的是48V系统电源，考虑到电压波动，起到开关作用的MOSFET需要具备100V的耐压能力。而另一方面，提高耐压意味着与其保存权衡关系的导通电阻也会提高，效率会变差，因此，如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻，是一个很大的挑战。电扇电机通�；崾褂枚喔鯩OSFET进行驱动，为了节省空间，关于将两枚芯片一体化封装的双MOSFET的需求增加。
在这种配景下，ROHM接纳新工艺开发出Nch和Pch的MOSFET芯片，并通过接纳散热性能精彩的背面散热封装形式，开发出实现业界超低导通电阻的新系列产品。
新产品通过接纳ROHM新工艺和背面散热封装，实现了业界超低的导通电阻（Ron）*3（Nch+Nch产品为HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。与普通的双MOSFET相比，导通电阻降低达56%，很是有助于进一步降低应用设备的功耗。另外，通过将两枚芯片一体化封装，可以减少装置面积，有助于应用设备进一步节省空间。例如HSOP8封装的产品，如果替换掉两枚单MOSFET（仅内置1枚芯片的TO-252封装），可以减少77%的装置面积。
新产品已于2023年7月开始暂以月产100万个（样品价格 550日元/个，不含税）的规模投入量产。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过Ameya360电商平台均可购置。
目前，ROHM正在面向工业设备领域扩大双MOSFET的耐压阵容，同时也在开发低噪声产品。未来，将通过连续助力种种应用产品进一步降低功耗并节省空间，为解决情况�；さ壬缁嵛侍獠痪⒕戳α�。
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