ROHM开发出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力减少效劳器和AC适配器等的损耗和体积！
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都会）面向数据效劳器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器即是一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB） 。
近年来，为了实现可连续生长的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求 。针对这种需求，GaN HEMT作为一种很是有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望 。然而，与Si MOSFET相比，GaN HEMT的栅极处理很难，必须与驱动栅极用的驱动器结合使用 。在这种市场配景下，ROHM结合所擅长的功率和模拟两种焦点技术优势，开发出集功率半导体——GaN HEMT和模拟半导体——栅极驱动器于一体的Power Stage IC 。该产品的问世使得被称为“下一代功率半导体”的GaN器件轻轻松松即可实现装置 。
新产品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能够更洪流平地引发出GaN HEMT性能的专用栅极驱动器、新增功效以及外围元器件 。另外，新产品支持更宽的驱动电压规模（2.5V～30V），拥有支持一次侧电源种种控制器IC的性能，因此可以替换现有的Si MOSFET（Super Junction MOSFET*3／以下简称“Si MOSFET”） 。与Si MOSFET相比，器件体积可减少约99%，功率损耗可降低约55%，因此可同时实现更低损耗和更小体积 。
新产品已于2023年6月开始量产（样品价格4,000日元/个，不含税） 。另外，新产品及对应的三款评估板（BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003）已开始网售，在Ameya360等电商平台可购置 。
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