ROHM确立可以更洪流平引发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术 将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都会）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更洪流平地引发出GaN等高速开关器件的性能。
近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛接纳，然而，如何提高控制IC（卖力GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。
在这种配景下，ROHM进一步革新了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control?”，乐成地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，抵达业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又乐成地确立了可更洪流平引发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。
目前，ROHM正在推动应用该技术的控制IC产品转化事情，计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC控制器的样品。通过将其与ROHM的“EcoGaN?系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出孝敬。
未来，ROHM将继续以其擅长的模拟技术为中心，追求应用的易用性，积极开发解决社会课题的产品。
日本大阪大学 研究生院工学研究科 森 勇介 教授体现：
“多年来，GaN作为能够实现节能的功率半导体质料一直备受期待，但这种质料在品质和本钱等方面还保存诸多问题。在这种配景下，ROHM建立了高可靠性GaN器件的量产体系，并积极推动能够更洪流平地发挥出GaN器件性能的控制IC开发。这关于增进GaN器件的普及而言，可以说是很是重要的一大步。要想真正发挥出功率半导体的性能，就需要将晶圆、元器件、控制IC、�？榈榷嘀旨际跤谢岷掀鹄础Ｔ谡夥矫�，日本有包括ROHM在内的许多极具影响力的企业。从我们正在研究的GaN-on-GaN晶圆技术到ROHM正在研究的元器件、控制IC和�？�，需要整个国家通力相助，为实现无碳社会孝敬力量。”
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＜配景＞
在追求电源电路小型化时，需要通过高频开关来减小外围元器件的尺寸，而这就需要能够充分引发出GaN等高速开关器件驱动性能的控制IC。这次，为了实现包括外围元器件的解决计划，ROHM确立了很是适合GaN器件的超高速驱动控制IC技术，该技术中还融入了ROHM引以为豪的模拟电源技术之一“Nano Pulse Control?”技术 。
＜控制IC技术详情＞
该技术接纳了在ROHM的笔直统合型生产体制下融合了电路设计、工艺和结构三大模拟技术而实现的“Nano Pulse Control?”技术。通过接纳自有的电路结构，将控制IC的最小控制脉宽由以往的9ns大幅提升至2ns，这使得以48V和24V应用为主的应用，仅需1枚电源IC即可完成从高电压到低电压的降压转换事情（从最高60V到0.6V）。该技术很是适合与GaN器件相结合，实现高频开关，从而助力外围元器件小型化，对接纳了该技术的DC-DC控制器IC（开发中）和接纳了EcoGaN?技术的电源电路进行比较时，后者的装置面积比接纳普通产品时可减少86%。
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＜关于Nano Pulse Control?＞
一种超高速脉冲控制技术。实现了纳秒（ns）级的开关导通时间（电源IC的控制脉冲宽度），使以往无法实现的高电压到低电压的转换成为可能。
如欲进一步了解Nano Pulse Control?技术，请会见：
https://www.rohm.com.cn/support/nano
＜关于EcoGaN?＞
EcoGaN?是通过更洪流平地优化GaN的低导通电阻和高速开关性能，助力应用产品进一步节能和小型化的ROHM GaN器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。
*EcoGaN? 和 Nano Pulse Control? 是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
＜森 勇介 教授简介＞
曾任日本大阪大学研究生院工学研究科副教授，于2007年成为该学科教授，任教至今。
多年从事GaN晶体生长等技术的开发与研究，并确立了晶体量产技术。目前，为了推动GaN器件的应用与普及，除了致力于提高GaN-on-GaN晶圆技术（即在GaN衬底上形成GaN晶体管）的品质外，还与多家企业开展产学相助，属于GaN技术应用研究的权威人物。
2008年获得日本文部科学大臣表扬科学技术奖，近年来，于2022年获得国家发明表扬“未来创立发明勉励奖”、2022年第13届化合物半导体电子学成绩奖（赤崎勇奖）等。
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